Table 1 Summary of the device electrical parameters, including μFET, on/off ratio, Von, SS, and Nmax for a-IGZO TFTs (sample numbers 1~18).

From: Electric Field-aided Selective Activation for Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors

#

Sample

Annealing temperature [°C]

VG [V]

VS [V]

VD [V]

∆Tmax [°C]

μFET [cm2 V−1 s−1]

Ion/off ratio

Von [V]

SS [V decade−1]

Nmax [cm−3]

1

TAT, reference

280

9.90

5.09 * 108

−0.6

0.42

1.09 * 1012

2

VG (−50) VDS (0)_1

130

−50

0

0

0

1.83 * 101

3

VG (−50) VDS (0)_2

130

−50

+50

+50

0

1.64 * 101

4

VG (−50) VDS (−50)

130

−50

0

−50

13

8.08

5.79 * 101

−1.6

6.30

1.88 * 1013

5

VG (−50) VDS (+50)

130

−50

0

+50

11

10.68

3.89 * 101

−6.4

9.12

2.74 * 1013

6

VG (−50) VDS (+100)

130

−50

−50

+50

38

8.97

2.15 * 104

−1.4

1.02

2.89 * 1012

7

VG (0) VDS (0)_1

130

0

−50

−50

0

1.07 * 101

8

VG (0) VDS (0)_2

130

0

+50

+50

0

1.05 * 101

9

VG (0) VDS (−50)

130

0

0

−50

49

13.75

1.81 * 108

−3.4

0.59

1.59 * 1012

10

VG (0) VDS (+50)

130

0

0

+50

39

8.91

1.31 * 105

−2.2

0.82

2.30 * 1012

11

VG (0) VDS (+100)

130

0

−50

+50

58

11.14

1.26 * 108

−3.2

0.58

1.57 * 1012

12

VG (+50) VDS (0)_1

130

+50

−50

−50

0

1.09 * 101

13

VG (+50) VDS (0)_2

130

+50

0

0

0

8.02

14

VG (+50) VDS (−50)

130

+50

0

−50

54

10.66

3.18 * 108

−0.2

0.36

9.00 * 1011

15

VG (+50) VDS (+50)

130

+50

0

+50

49

11.23

7.19 * 107

−1.4

0.49

1.30 * 1012

16

VG (+50) VDS (+100)

130

+50

−50

+50

57

11.87

6.23 * 107

−2.4

0.55

1.49 * 1012

17

VG (+50) VDS (−50)_0.5 h

130

+50

0

−50

54

9.65

18

VG (+50) VDS (−50)_2 h

130

+50

0

−50

54

12.00

2.46 * 108

0.2

0.36

8.92 * 1011